产品中心
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产品特征
特性:
- 宽供电范围:4.5V-24V
- 峰值源电流和灌电流:4A
- 输入逻辑可灵活配置为同相或反相
- 输入兼容TTL电平
- 输入传输延迟:13ns
- 典型上升和下降时间:8ns
- 典型延迟匹配时间:1ns
- 低静态电流:65uA
- 输入浮空时输出为低
- 双通道独立的使能逻辑
- 过温保护:170°C
- 采用DFN-8L封装
描述:
SCT52246是一款宽供电范围,双通道,高速的低侧栅极驱动器,适用于驱动功率MOSFET或IGBT。SCT52246采用了双输入设计,可灵活地配置各通道输入逻辑为反相(IN-引脚)或同相(IN+引脚)。IN+或IN-引脚都能直接控制驱动输出状态。其每个通道都能提供高达4A的峰值源电流和灌电流能力,可实现轨到轨的输出驱动。其24V的供电耐压增强了应对功率器件开关瞬态振铃的承受能力。
SCT52246拥有低至13ns的输入到输出传输延迟,使得其非常适合高频功率变换器应用。
SCT52246具有宽输入迟滞,兼容TTL电平。
SCT52246极低的静态电流可降低功率变换器的待机功耗。SCT52246的各通道驱动电路采用了无交叠设计,避免了输出级共通的风险。
SCT52246具有170°C的过温保护。SCT52246采用DFN 3×3-8L封装。
SCT52246拥有低至13ns的输入到输出传输延迟,使得其非常适合高频功率变换器应用。
SCT52246具有宽输入迟滞,兼容TTL电平。
SCT52246极低的静态电流可降低功率变换器的待机功耗。SCT52246的各通道驱动电路采用了无交叠设计,避免了输出级共通的风险。
SCT52246具有170°C的过温保护。SCT52246采用DFN 3×3-8L封装。
应用:
- IGBT/MOSFET栅极驱动
- 变频器
- 开关电源
- 电机控制
- 光伏逆变器
封装信息
技术资料
标题 | 时间 | 下载 |
---|---|---|
SCT52246 Datasheet Rev 1.1 | 2024-12-16 | 下载 |
参数对比
加入对比
低边驱动 栅极驱动器
对比参数 |
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低边驱动 栅极驱动器
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