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功率接口 功率接口
SCT53600QTVDR 正在供货
具有反向电流保护的理想二极管控制器
SCT53600QTVDR
  • 产品介绍
  • 技术资料
  • 参数对比

产品特征

特性:
  • 具备汽车应用资格
  • AEC-Q100合格,结果如下:
    • -设备温度等级1:-40°C至125°C环境工作温度范围
    • -设备CDM ESD分类等级C3B
  • 4.8V至65V工作范围
  • 额定–65V反向电压
  • 集成驱动外部N沟道MOSFET的电荷泵
  • 20mV阳极到阴极正向压降调节
  • 12V栅极驱动电压
  • 具有使能输入
  • 驱动外部高边N沟道MOSFET
  • 1μA关机电流(EN=低)
  • 60μA工作静态电流(EN=高)
  • 2.3-A峰值栅极关断电流
  • 反向电流可在0.75us内快速关闭
  • 使用合适的TVS二极管满足汽车ISO7637瞬态要求
  • 提供SOT23-6L封装
 
描述:
SCT53600Q是一款理想二极管控制器,与外部N沟道MOSFET配合使用,作为低损耗反向极性保护的理想二极管整流器,可替代肖特基二极管。SCT53600Q在4.7V至65V的宽电源电压范围内运行。该设备可以承受并保护负载免受低至-65V的负电源电压的损坏,并阻止反向电流流动,有助于简化汽车ISO7637保护的系统设计。SCT53600Q控制器通过电荷泵为外部N沟道MOSFET提供栅极驱动。该器件将外部MOSFET的正向电压降调节到20mV,可以在反向电流情况下快速关闭,在发生反向时提供MOSFET的非常快的关断(<0.75μs),以在电源故障或输入微短路条件下最大限度地减少反向电流。对反向电流阻断的快速响应使该设备适用于需满足ISO7637脉冲测试要求的系统或对输出电压存在维持不掉电要求的系统。
SCT53600Q在关机模式下仅消耗1μA的电流,使能引脚低以延长电池寿命。该器件采用SOT23-6封装。
 
应用:
  • 汽车电池保护
  • 冗余电源
  • 工业工厂自动化
  • 企业电源
  • 网络通信电源系统
  • 服务器

封装信息

SCT53600QTVDR
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技术资料

标题 时间 下载
SCT53600Q Datasheet Rev 1.4 2024-12-16 下载

参数对比

加入对比
理想二极管 电源保护
对比参数
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理想二极管 电源保护
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