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功率控制 功率控制
SCT52A40DSAR 正在供货
120V,4A峰值电流,高频半桥驱动器
SCT52A40DSAR
  • 产品介绍
  • 技术资料
  • 参数对比

产品特征

特性:
 
  • 宽供电范围:8V-24V
  • 可驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
  • 峰值源电流和灌电流:4A
  • 最大自举电压:120V
  • 内置自举二极管
  • 输入兼容TTL电平及低至-10V的负压
  • 静态电流:252uA
  • 输入传输延迟:45ns
  • 延迟匹配时间:2ns
  • 7ns上升时间和4.5ns下降时间(1000pF负载)
  • 输入消抖时间:15ns
  • 最小脉冲宽度:40ns
  • 供电欠压锁定
  • 宽工作温度范围:-40°C~150ºC
  • 支持SOP-8L, ESOP-8L, DFN-9L 3mm×3mm, DFN-10L 3mm×3mm及DFN-8L 4mm×4mm等封装
 
描述:
 
SCT52A40是一款宽供电范围的高频栅极驱动器,可驱动用于半桥,全桥或降压变换器中的高侧及低侧N沟道MOSFET。其高达4A的峰值源电流与灌电流能够提高功率变换器的转换效率。
SCT52A40具有宽输入迟滞,兼容TTL电平;同时可承受低至-10V的负压输入,增强了输入抗噪性。其HS引脚可承受低至-18V的负压尖峰,极大提升了应对开关节点噪声的能力及应用的灵活性。
SCT52A40拥有低至40ns的最小脉冲宽度,使得其非常适合高频功率变换应用。
SCT52A40支持SOP-8L, ESOP-8L, DFN-9L 3mm×3mm, DFN-10L 3mm×3mm及DFN-8L 4mm×4mm等封装。
 
应用:
 
  • 电动工具
  • 电机驱动
  • 半桥和全桥功率变换器
  • 双管正激变换器
  • 有源钳位正激变换器

封装信息

SCT52A40DSAR
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参数对比

加入对比
半桥驱动 栅极驱动器
对比参数
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半桥驱动 栅极驱动器
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